| 型号：SI5418DU-T1-GE3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：PowerPAK? CHIPFET? 单 | 描述：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
| 系列 | - |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 12A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 14.5 毫欧 @ 7.7A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1350pF @ 15V |
| 功率_最大 | 31W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? CHIPFET? 单 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? ChipFET 单通道 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 瀚佳科技（深圳）有限公司 | 李0755-23915992/23140719 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
| 深圳市捷富芯科技有限公司 | 林生13686489274 |
| 深圳宇邦高科技有限公司 | 朱小姐0755-82524712 0755-82525400 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳市耿芯泰电子科技有限公司 | 方0755-83089867 |
| 深圳市川蓝电子科技有限公司 | 彭小姐0755-82522939 |
SI5418DU-T1-GE3相关型号
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80-LBGA
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0805（2012 公制）
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RES 54.2K OHM 1/16W 0.1% 0402
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0805（2012 公制）
RES 143K OHM 1/8W 0.1% 0805
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1206（3216 公制）
RES 226 OHM 1/4W 0.1% 1206
- SI5401DC-T1-E3
FET - 单
Vishay Siliconix
8-SMD，扁平引线
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
- TNPW080563R4BEEA
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Vishay Dale
0805（2012 公制）
RES 63.4 OHM 1/8W 0.1% 0805
- TNPW060328K0BEEN
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0603（1608 公制）
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RES 576 OHM 1/16W 0.1% 0402
- TC-33.33333MCD-T
振荡器
TXC CORPORATION
4-SMD，无引线（DFN，LCC）
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- TNPW080514R7BEEN
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0805（2012 公制）
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钽
Vishay Sprague
2910（7227 公制）
CAP TANT 6.8UF 20V 20% 2910
- TNPW06032K00BEEN
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- TNPW0805681RBEEN
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RES 681 OHM 1/8W 0.1% 0805
- SI5433BDC-T1-GE3
FET - 单
Vishay Siliconix
8-SMD，扁平引线
MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
